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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0978933 (1997-11-26) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 59 인용 특허 : 8 |
A system and related method are disclosed for performing inductively-coupled-plasma-enhanced ionized physical-vapor deposition process for depositing a material layer on a work piece such as a semiconductor substrate or a thin-film head substrate. Within a PVD process chamber, a plurality of inducti
[ What is claimed is:] [1.] A physical-vapor deposition system for depositing a material layer onto a substrate, comprising:a low-pressure process chamber for processing a substrate;a chuck assembly for holding the substrate;a target assembly comprising a sputtering energy source and a target materi
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