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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0385525 (1999-08-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 27 인용 특허 : 8 |
A new method of fabricating an inductor utilizing air as an underlying barrier in the manufacture of integrated circuits is described. A metal line is provided overlying a dielectric layer on a semiconductor substrate. An intermetal dielectric layer is deposited overlying the metal line and the diel
[ What is claimed is:] [1.] A method of fabricating an inductor in the fabrication of an integrated circuit comprising:providing a metal line overlying a dielectric layer on a semiconductor substrate;depositing an intermetal dielectric layer overlying said metal line and said dielectric layer;patter
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