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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0377359 (1999-08-19) |
우선권정보 | GB0018044 (1998-08-20) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 16 인용 특허 : 7 |
A power transistor device, for example a MOSFET or an IGBT, comprises a semiconductor body (10) which accommodates an array (11) of parallel device cells (1a) in which heat is generated in operation of the device. A hot-location temperature sensor (Mh) is located inside the array (11), and a cool-lo
[ What is claimed is:] [1.] A power transistor device comprising a semiconductor body which accommodates an array of parallel device cells of a transistor type, heat being generated in the device cells in operation of the device, wherein a hot-location temperature sensor is located inside the array
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