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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0282079 (1999-03-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 184 인용 특허 : 5 |
A semiconductor metalization barrier, and manufacturing method therefor, is provided which is a stack of a cobalt layer and cobalt tungsten layer deposited on a copper bonding pad.
[ The invention claimed is:] [1.] A semiconductor device comprising:a semiconductor substrate;a first dielectric layer on said semiconductor substrate, said first dielectric layer having an opening provided therein;a first conductive layer disposed in said opening in said first dielectric layer;a se
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