최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0502925 (2000-02-11) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 18 |
A method and resulting structure for reducing refraction and reflection occurring at the interface between adjacent layers of different materials in a semiconductor device, assembly or laminate during an alignment step in a semiconductor device fabrication process. The method comprises forming a pla
[ What is claimed is:] [1.] A semiconductor device structure having reduced refraction at the interface formed between adjacent layers of different materials, the semiconductor device structure formed by the method comprising:providing a base layer having a non-planar surface;forming a planar-surfac
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.