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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0385156 (1999-08-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 18 |
A process of growing silicon oxide to a highly calibrated thickness is provided. In one embodiment, a silicon precursor material is deposited to a first thickness on a substrate, such as a fused glass substrate used for forming microlithography masks. The precursor material is then selectively expos
[ What is claimed is:] [1.] A method of forming an oxidized structure having a thickness within a tolerance value of a desired thickness comprising:forming a layer of precursor material to a first thickness on the substrate by depositing, silicon on a fused quartz glass substrate;implanting a first
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