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특허 상세정보
Method of making an oxide structure having a finely calibrated thickness
| 국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
|---|---|
| 국제특허분류(IPC7판) | H01L-021/461 |
| 미국특허분류(USC) | 438/705 ; 438/770 ; 430/005 |
| 출원번호 | US-0385156 (1999-08-30) |
| 발명자 / 주소 |
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| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 18 |
초록
A process of growing silicon oxide to a highly calibrated thickness is provided. In one embodiment, a silicon precursor material is deposited to a first thickness on a substrate, such as a fused glass substrate used for forming microlithography masks. The precursor material is then selectively exposed to ionization and the non-ionized portions of the precursor material are then selectively etched leaving only the implanted portion of the precursor material of the first thickness. The implanted material is then oxidized resulting in an oxide structure hav...
대표
청구항
[ What is claimed is:] [1.] A method of forming an oxidized structure having a thickness within a tolerance value of a desired thickness comprising:forming a layer of precursor material to a first thickness on the substrate by depositing, silicon on a fused quartz glass substrate;implanting a first region of the precursor material with an identifying species;selectively etching the non-implanted regions of the precursor material;oxidizing the implanted region of the precursor material so as to form an oxidized structure of a final thickness wherein the f...
이 특허에 인용된 특허 (18)
- Danielson Donald D. (Aloha OR) Feller Allen D. (Portland OR) Cadien Kenneth C. (Portland OR), Chemical mechanical polishing slurry delivery and mixing system.
- Grant Robert W. (Allenstown PA) Ruzyllo Jerzy (State College PA) Torek Kevin (State College PA), Controlled etching of oxides via gas phase reactions.
- Leach Michael A. (South Burlington VT) Machesney Brian J. (Burlington VT) Nowak Edward J. (Essex Junction VT), Device for detecting an end point in polishing operations.
- Yu Chris C. (Boise ID) Sandhu Gurtej S. (Boise ID) Doan Trung T. (Boise ID), Integrated circuit polishing method.
- Yu Chris C. (Boise ID) Doan Trung T. (Boise ID), Method of chemical mechanical polishing predominantly copper containing metal layers in semiconductor processing.
- Liu Ming-Tsung,TWX ; Hung Tsung-Yuan,TWX ; Hsu Bill,TWX, Method of etching metal with increased etching selectivity.
- Doan Trung T. ; Wu Zhiqiang ; Li Li, Method of forming a local interconnect between electronic devices on a semiconductor substrate.
- Rolfson J. Brett (Boise ID), Method of making masks for phase shifting lithography.
- Tanaka Hiroki (Nagoya JPX) Tsuchida Shin (Nagoya JPX), Method of producing hardened aluminum alloy sheets having superior thermal stability.
- Li Li ; Westmoreland Donald L. ; Hawthorne ; deceased Richard C. ; Torek Kevin, Method of wafer cleaning, and system and cleaning solution regarding same.
- Torek Kevin James (Boise ID) Lee Whonchee (Boise ID) Hawthorne ; deceased Richard C. (late of Nampa ID), Methods and etchants for etching oxides of silicon with low selectivity in a vapor phase system.
- Hirae Sadao (Kyoto JPX) Matsubara Hideaki (Kyoto JPX) Kouno Motohiro (Kyoto JPX) Sakai Takamasa (Kyoto JPX), Non-destructive measuring sensor for semiconductor wafer and method of manufacturing the same.
- Koos Daniel A. (Boise ID) Meikle Scott (Boise ID), Optical end point detection methods in semiconductor planarizing polishing processes.
- Rolfson J. Brett (Boise ID), Phase shifting mask.
- Grant Robert W. (Excelsior MN) Torek Kevin (State College PA) Novak Richard E. (Plymouth MN) Ruzyllo Jerzy (State College PA), Process for etching oxide films in a sealed photochemical reactor.
- Fouillet Yves,FRX ; Delapierre Gilles,FRX ; Delaye Marie-Therese,FRX, Process for the micromechanical fabrication of nozzles for liquid jets.
- Hung Raymond ; Ding Jian ; Caulfield Joseph P. ; Yin Gerald Z., Self aligned contact etch using difluoromethane and trifluoromethane.
- Murarka Shyam P. (Clifton Park NY) Gutmann Ronald J. (Troy NY) Duquette David J. (Loudonville NY) Steigerwald Joseph M. (Aloha OR), Systems for performing chemical mechanical planarization and process for conducting same.
