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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0123853 (1998-07-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 102 인용 특허 : 26 |
A cluster tool method using plasma immersion ion implantation chamber. In some embodiments, the cluster tool method also includes a controlled cleaving process chamber, as well as others.
[ What is claimed is:] [1.] A cluster tool process for forming a silicon-on-insulator substrate, said process comprising steps of:providing a donor substrate;placing said donor substrate in a first chamber and introducing particles through a surface of said donor substrate to a predetermined selecte
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