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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0386203 (1999-08-30) |
우선권정보 | JP0245446 (1998-08-31) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 46 인용 특허 : 4 |
Of the MOSFETs used to implement an oscillator circuit or a delay circuit in a semiconductor device, minimally the MOSFETs P12 (N12) used in a part of the circuit that affects the oscillation period or delay time are low-threshold-voltage type MOSFETs.
[ What is claimed is:] [1.] A ring oscillator made up of a plurality of inverters, each being implemented by a first p-channel MOSFET and a first n-channel MOSFET, which are connected to each other forming a ring like configuration, in each one of said inverters, a second p-channel MOSFET which serv
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