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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0300988 (1999-04-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 3 |
Processes and compositions for nitration of N-substituted isowurtzitane compounds with concentrated nitric acid at elevated temperatures to form HNIW and recovery thereof with high yields and purities. Polymorphic conversions to the epsilon HNIW crystal form at quanititative yields are also describe
[ We claim:] [1.] A process for the polymorphic conversion of HNIW crystals having a form selected from alpha, beta, or gamma or mixtures thereof to the epsilon crystal form comprising preparing a solution of the HNIW with acetic acid as a constituent of the solution, adding a very small amount of e
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