최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0252623 (1998-12-16) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 60 인용 특허 : 5 |
A method of growing atomically-flat surfaces and high quality low-defect crystal films of semiconductor materials and fabricating improved devices thereon. The method is also suitable for growing films heteroepitaxially on substrates that are different than the film. The method is particularly suite
[ What we claim is:] [1.] A method of producing single-crystal atomically-flat surfaces on a single-crystal substrate, said method comprising the steps of:(a) choosing a single-crystal substrate material which exhibits the property that the material contains at least one growth plane orientation whe
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.