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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0357979 (1999-07-21) |
우선권정보 | JP0208035 (1998-07-23) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 6 인용 특허 : 13 |
In order to provide a semiconductor substrate that can be an SOI substrate suitable for production of high-frequency transistor, the semiconductor substrate is produced by a method of producing the semiconductor substrate having a step of bonding a first base having a semiconductor layer region to a
[ What is claimed is:] [1.] A method of producing a semiconductor substrate comprising a step of bonding a first base comprising a semiconductor layer region to a second base and a step of removing the first base while leaving the semiconductor layer region on the second base,wherein according to th
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