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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0215128 (1998-12-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 39 |
A semiconductor device having a barrier film comprising an extremely thin film formed of one or more monolayers each comprised of a two-dimensional array of metal atoms. In one exemplary aspect, the barrier film is used for preventing the diffusion of atoms of another material, such as a copper cond
[ What is claimed is:] [2.] A process for making a semiconductor device comprising the steps of:forming, on a surface of a substrate material, a barrier film comprising a layer of elemental rubidium atoms immediately adjacent said surface of the substrate material; anddepositing a conductor, having
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