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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0975705 (1997-11-21) |
우선권정보 | GB0015282 (1997-07-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 6 인용 특허 : 13 |
This invention relates to methods of forming a barrier layer including depositing a layer of Titanium Nitride and subsequently nitriding the surface of that layer. In some embodiments the Titanium Nitride layer is exposed to Oxygen prior to the nitroding step.
[ What is claimed is:] [1.] A method of forming a barrier layer on a semiconductor surface said method comprising:depositing a layer of titanium nitride on the semiconductor surface;exposing the layer of titanium nitride to oxygen to form an oxidized layer; andnitriding at least a surface of the oxi
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