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특허 상세정보

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Methods of forming a barrier layer

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) H01L-021/31   
미국특허분류(USC) 438/778 ; 438/663 ; 438/664 ; 438/701 ; 438/760
출원번호 US-0975705 (1997-11-21)
우선권정보 GB0015282 (1997-07-22)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
대리인 / 주소
    Jones Volentine, LLC
인용정보 피인용 횟수 : 6  인용 특허 : 13
초록

This invention relates to methods of forming a barrier layer including depositing a layer of Titanium Nitride and subsequently nitriding the surface of that layer. In some embodiments the Titanium Nitride layer is exposed to Oxygen prior to the nitroding step.

대표
청구항

[ What is claimed is:] [1.] A method of forming a barrier layer on a semiconductor surface said method comprising:depositing a layer of titanium nitride on the semiconductor surface;exposing the layer of titanium nitride to oxygen to form an oxidized layer; andnitriding at least a surface of the oxidized layer.

이 특허에 인용된 특허 (13)

  1. Sugano Yukiyasu (Kanagawa JPX) Minegishi Shinji (Kanagawa JPX) Koyama Kazuhide (Kanagawa JPX) Sumi Hirofumi (Kanagawa JPX). Aluminum metallization method. USP1994035290731.
  2. Ngan Kenny K. (Fremont CA) Ong Edith (Saratoga CA). Barrier layers and aluminum contacts. USP1995015378660.
  3. Dixit Pankaj (Sunnyvale CA) Sliwa Jack (Los Altos Hills CA) Klein Richard K. (Mountain View CA) Sander Craig S. (Mountain View CA) Farnaam Mohammad (Santa Clara CA). Contact plug and interconnect employing a barrier lining and a backfilled conductor material. USP1989114884123.
  4. Grief Malcolm K. (2451 E. Woods End Ct. Boise ID 83706) Doan Trung (1574 Shenandoah Dr. Boise ID 83712). Electrical contact with diffusion barrier. USP1992085136362.
  5. Fu Jianming ; Xu Zheng. Method for forming aluminum contacts. USP1998125851364.
  6. Foster Robert F. (Phoenix AZ) Hillman Joseph T. (Scottsdale AZ). Method of nitridization of titanium thin films. USP1997015593511.
  7. Taki Kazuhiro (Atsugi JPX) Saito Akio (Kawasaki JPX). Method of producing titanium material resistant to hydrogen absorption in aqueous hydrogen sulfide solution. USP1995035395461.
  8. Fu Jianming ; Chen Fusen. Process for forming improved titanium-containing barrier layers. USP1999015858184.
  9. Foster Robert F. (Phoenix AZ) Hillman Joseph T. (Scottsdale AZ) Arora Rikhit (Mesa AZ). Process for plasma enhanced anneal of titanium nitride. USP1996105567483.
  10. Koyanagi Mitsumasa (Higashimurayama JPX) Kaneko Hiroko (Higashimurayama JPX). Semiconductor integrated circuit device and method of producing the same. USP1987104701349.
  11. Levi Mark W. (Utica NY). Stress reduced insulator. USP1995055419787.
  12. Giannelis Emmanuel P. (Ithaca) Keddie Joseph L. (Ithaca) Shacham-Diamond Y. Y. (Ithaca NY). Synthesis of titanium nitride films. USP1993045202152.
  13. Ngan Kenny King-Tai ; Mosely Roderick C.. Treatment of a titanium nitride layer to improve resistance to elevated temperatures. USP1999085943600.

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 6

  1. Wood, Bingxi Sun; Kawaguchi, Mark N.; Papanu, James S.; Mosely, Roderick C.; Lai, Chiukun Steven; Kao, Chien Teh; Ai, Hua; Wang, Wei W.. Cleaning of native oxide with hydrogen-containing radicals. USP2009107604708.
  2. Fortin, Vincent. Formation of tungstein-based interconnect using thin physically vapor deposited titanium nitride layer. USP2003126670267.
  3. Fortin, Vincent. Forming conductive layers on insulators by physical vapor deposition. USP2004126835646.
  4. Burrell,Lloyd G.; Davis,Charles R.; Goldblatt,Ronald D.; Landers,William F.; Mehta,Sanjay C.. Method of fabricating a wire bond pad with Ni/Au metallization. USP2007117294565.
  5. Bachman,Mark Adam; Chesire,Daniel Patrick; Merchant,Sailesh Mansinh. Structure and method for bonding to copper interconnect structures. USP2008027328830.
  6. Fortin, Vincent. Tungsten-based interconnect that utilizes thin titanium nitride layer. USP2004096787914.

IPC 상위 출원인