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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0252592 (1999-02-09) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 70 인용 특허 : 2 |
Bulk cubic gallium nitride is made by charging into a reaction vessel to a fill of 25-95% having a temperature difference between its ends of at least 1.degree. C. a gallium precursor, sufficient amount of an acid mineralizer to form product zinc blende gallium nitride, and sufficient amount of ammo
[ What I claim is:] [1.] A process for preparing cubic GaN comprising the steps of(a) charging into a reaction vessel to a fill factor of 25-95% and having a temperature difference between its ends of at least 1.degree. C. a gallium precursor, an acid mineralizer to form product cubic gallium nitrid
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