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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0123319 (1998-07-28) |
우선권정보 | JP0081415 (1998-03-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 152 인용 특허 : 11 |
In a semiconductor integrated circuit wherein an interlayer insulating film is formed over a semiconductor substrate having a semiconductor device formed thereover; and an interconnection embedded in an interconnection groove in the interlayer insulating film is formed by the deposition of a metal f
[ What is claimed is:] [1.] A process for fabricating a semiconductor integrated circuit device which comprises a semiconductor device formed on a principal surface of a semiconductor substrate, a first insulating film formed over said semiconductor device and having first concave portions each embe
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