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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0917443 (1997-08-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 34 인용 특허 : 51 |
Integrated circuitry and methods of forming integrated circuitry are described. In one aspect, a hole is formed in a semiconductor wafer. In a preferred implementation, the hole extends through the entire wafer. Subsequently, conductive material is formed within the hole and interconnects with integ
[ What is claimed is:] [1.] A method of processing a semiconductor wafer comprising:placing a wafer in a semiconductor wafer processor;forming a hole which extends through the entire wafer within the semiconductor wafer processor; andforming conductive material within the hole by:forming a first mat
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