최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0233359 (1999-01-18) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 24 인용 특허 : 6 |
The present invention allows optimum filling of cavities or cages typically found in crystal lattice type structures associated with an inclusion complex such as formed by clathrate compounds. Filling such cavities or cages in the associated crystal lattice type structure provides semiconductor mate
[ What is claimed is:] [1.] A thermoelectric device having at least one thermoelectric element formed in part from an inclusion complex having a first material component and a second material component which cooperate with each other to form a crystal lattice structure comprising:a unit cell formed
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.