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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0442497 (1999-11-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 54 인용 특허 : 11 |
This invention relates to a new improved method and structure in the fabricating of aluminum metal pads. The formation special aluminum bond pad metal structures are described which improve adhesion between the tantalum nitride pad barrier layer and the underlying copper pad metallurgy by a special
[ What is claimed is:] [1.] A method of fabricating an integrated circuit and other devices on a substrate, the method comprising the following steps:providing a substrate;providing said substrate with a layer of dielectric, termed an interlevel dielectric (ILD) over the substrate;providing a first
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