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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0795959 (1997-02-04) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 9 인용 특허 : 6 |
It has been observed that Si introduced into an Al metal line of an Al, Ti, and Si-containing layer stack of an integrated circuit, at concentrations uniformly less than the solid solubility of Si in Al, results in a reduction in Al metal line voiding. Such voiding is a stress induced phenomenon and
[ What is claimed is:] [1.] A method for reducing voiding of Al metal lines in a Ti/Al metal stack, the method comprising the steps of:depositing a Ti-comprising layer on a Si-comprising dielectric layer, the depositing being under conditions to provide a filter for Si migration into an Al-comprisin
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