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Thin titanium film as self-regulating filter for silicon migration into aluminum metal lines

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021/44
출원번호 US-0795959 (1997-02-04)
발명자 / 주소
  • Tiffin Don A.
  • Brennan William S.
  • Soza David
  • Smith Patrick L.
  • White Allen
  • Hossain Tim Z.
출원인 / 주소
  • Advanced Micro Devices, Inc.
대리인 / 주소
    Skjerven Morrill MacPherson LLP
인용정보 피인용 횟수 : 9  인용 특허 : 6

초록

It has been observed that Si introduced into an Al metal line of an Al, Ti, and Si-containing layer stack of an integrated circuit, at concentrations uniformly less than the solid solubility of Si in Al, results in a reduction in Al metal line voiding. Such voiding is a stress induced phenomenon and

대표청구항

[ What is claimed is:] [1.] A method for reducing voiding of Al metal lines in a Ti/Al metal stack, the method comprising the steps of:depositing a Ti-comprising layer on a Si-comprising dielectric layer, the depositing being under conditions to provide a filter for Si migration into an Al-comprisin

이 특허에 인용된 특허 (6)

  1. Wang Kuang-Chih (Taichung Hsien TWX), Al-based contact formation process using Ti glue layer to prevent nodule-induced bridging.
  2. Sumi Hirofumi (Kanagawa JPX) Sugano Yukiyasu (Kanagawa JPX), Aluminum metallization method.
  3. Lee Sang-in (Suwon KRX) Park Chang-soo (Seoul KRX) Son Jeong-ha (Seoul KRX), Method for forming a planarized composite metal layer in a semiconductor device.
  4. Nulman Jaim (Palo Alto CA) Ngan Kenny K.-T. (Fremont CA), Method for the formation of tin barrier layer with preferential (111) crystallographic orientation.
  5. Bryant Frank R. (Denton TX) Waters John L. (Carrollton TX), Method of forming tunneling diffusion barrier for local interconnect and polysilicon high impedance device.
  6. Yokoyama Kenji (Nagano JPX) Kato Juri (Nagano JPX) Ogita Masashi (Nagano JPX), Ohmic contact to silicon substrate.

이 특허를 인용한 특허 (9)

  1. Robertson, Michael C., Consumable downhole tool.
  2. Clayton, Robert P.; Berscheidt, Kevin; Robertson, Michael C., Consumable downhole tools.
  3. Clayton, Robert Preston; Berscheidt, Kevin; Robertson, Michael C., Consumable downhole tools.
  4. Swor, Loren C.; Wilkinson, Brian K.; Robertson, Michael C., Consumable downhole tools.
  5. Swor, Loren Craig; Wilkinson, Brian Keith, Consumable downhole tools.
  6. Minh Van Ngo ; Paul R. Besser ; Matthew Buynoski ; John Caffall ; Nick Maccrae ; Richard J. Huang ; Khanh Tran, METHOD FOR REDUCING STRESS-INDUCED VOIDS FOR 0.25-.mu.M AND SMALLER SEMICONDUCTOR CHIP TECHNOLOGY BY ANNEALING INTERCONNECT LINES AND USING LOW BIAS VOLTAGE AND LOW INTERLAYER DIELECTRIC DEPOSITION R.
  7. Robertson, Michael C., Method for removing a consumable downhole tool.
  8. Swor, Loren C.; Starr, Phillip M.; Smith, Don R.; Wilkinson, Brian K., Method for removing a consumable downhole tool.
  9. Tilghman, Stephen E., Method for removing a sealing plug from a well.
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