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특허 상세정보

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Method of making SiC single crystal and apparatus for making SiC single crystal

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) C30B-023/00    C30B-025/00    C30B-029/36   
미국특허분류(USC) 117/088 ; 117/091 ; 117/093 ; 117/098 ; 117/099 ; 117/951
출원번호 US-0231628 (1999-01-15)
우선권정보 JP0012646 (1998-01-26)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
대리인 / 주소
    Smith, Gambrell & Russell, LLP
인용정보 피인용 횟수 : 18  인용 특허 : 10
초록
▼

An apparatus comprises an Si-disposing section in which solid Si is disposed; a seed-crystal-disposing section in which a seed crystal of SiC is disposed; a synthesis vessel adapted to accommodate the Si-disposing section, the seed-crystal-disposing section, and carbon; heating means adapted to heat the Si-disposing section and the seed-crystal-disposing section; and a control section for transmitting to the heating means a command for heating the Si to an evaporation temperature of Si or higher and heating the seed crystal to a temperature higher than t...

대표
청구항
▼

[What is claimed is:] [1.]a disposing step of disposing solid Si within a first temperature area T.sub.1 and disposing a seed crystal of SiC within a second temperature area T.sub.2 that is higher than said first temperature area T.sub.1 ;an Si-evaporating step of evaporating Si from said first temperature area T.sub.1 ;an SiC-forming-gas-generating step of generating an SiC-forming gas by reacting said evaporated Si and carbon; anda single-crystal-forming step of causing said SiC-forming gas to reach said seed crystal so as to form said SiC single cryst...

이 특허에 인용된 특허 (10)

  1. Balakrishna Vijay ; Augustine Godfrey ; Gaida Walter E. ; Thomas R. Noel ; Hopkins Richard H.. Advanced physical vapor transport method and apparatus for growing high purity single crystal silicon carbide. USP2000056056820.
  2. Larkin David J. (North Olmsted OH) Neudeck Philip G. (Strongsville OH) Powell J. Anthony (North Olmsted OH) Matus Lawrence G. (Amherst OH). Compound semiconductor and controlled doping thereof. USP1995115463978.
  3. Volkl Johannes,DEX ; Lanig Peter,DEX. Device for producing SiC single crystals. USP1998015707446.
  4. Balakrishna Vijay ; Thomas R. Noel ; Augustine Godfrey ; Hopkins Richard H. ; Hobgood H. McDonald. Method and apparatus for growing high purity single crystal silicon carbide. USP1999115985024.
  5. Stein Rene,DEX ; Rupp Roland,DEX. Method of producing boron-doped monocrystalline silicon carbide. USP1999105964943.
  6. Barrett Donovan L. ; Thomas Richard N. ; Seidensticker ; deceased Raymond G. ; Hopkins Richard H.. Method of producing large diameter silicon carbide crystals. USP1998055746827.
  7. Sugiyama Naohiro,JPX ; Okamoto Atsuto,JPX ; Tani Toshihiko,JPX ; Kamiya Nobuo,JPX. Method of producing silicon carbide single crystal. USP1999105964944.
  8. Kitou Yasuo,JPX ; Sugiyama Naohiro,JPX ; Okamoto Atsuto,JPX ; Tani Toshihiko,JPX ; Kamiya Nobuo,JPX. Method of producing single crystals and a seed crystal used in the method. USP1999085944890.
  9. Hunter Charles Eric. Production of bulk single crystals of silicon carbide. USP2000046045613.
  10. Davis Robert F. (Raleigh NC) Carter ; Jr. Calvin H. (Raleigh NC) Hunter Charles E. (Durham NC). Sublimation of silicon carbide to produce large, device quality single crystals of silicon carbide. USP199502RE34861.

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 18

  1. Tsvetkov,Valeri F.; Malta,David Phillip; Jenny,Jason Ronald. Apparatus and method for the production of bulk silicon carbide single crystals. USP2008017323052.
  2. Liu, Heng. Light-emitting diode with silicon carbide substrate. USP2005076919585.
  3. Hara, Kazukuni; Nagakubo, Masao; Onda, Shoichi. Manufacturing method for producing silicon carbide crystal using source gases and apparatus for the same. USP2004086770137.
  4. Kazukuni Hara JP; Kouki Futatsuyama JP; Shoichi Onda JP; Fusao Hirose JP; Emi Oguri JP; Naohiro Sugiyama JP; Atsuto Okamoto JP. Method and apparatus for fabricating high quality single crystal. USP2002096451112.
  5. Shigeto, Masashi; Yano, Kotaro; Nagato, Nobuyuki. Method and apparatus for producing silicon carbide single crystal. USP2004096797060.
  6. Shigeto, Masashi; Yano, Kotaro; Nagato, Nobuyuki. Method and apparatus for producing silicon carbide single crystal. USP2003026514338.
  7. Kondo, Hiroyuki; Oguri, Emi; Hirose, Fusao; Nakamura, Daisuke; Okamoto, Atsuto; Sugiyama, Naohiro. Method and apparatus for producing single crystal, substrate for growing single crystal and method for heating single crystal. USP2004096786969.
  8. Lampert,William V.; Eiting,Christopher J.; Smith,Scott A.; Haas,Trice W.. Method of growing homoepitaxial silicon carbide. USP200707H002193.
  9. Golan, Gady. Method of producing silicon carbide. USP2003046554897.
  10. Gady Golan IL. Method of producing silicon carbide: heating and lighting elements. USP2002126497829.
  11. Mueller, Stephan. Methods of fabricating silicon carbide crystals. USP2004036706114.
  12. Mueller,Stephan. Methods of fabricating silicon carbide crystals. USP2009037501022.
  13. Mueller,Stephan. Methods of fabricating silicon carbide crystals. USP2006117135072.
  14. Sudarshan, Tangali S.; Srivastava, Amitesh. Methods of growing a silicon carbide epitaxial layer on a substrate to increase and control carrier lifetime. USP2017129842898.
  15. Sudarshan, Tangali S.; Srivastava, Amitesh. Methods of growing a silicon carbide epitaxial layer on a substrate to increase and control carrier lifetime. USP2013118574528.
  16. Masashi Shigeto JP; Kotaro Yano JP; Nobuyuki Nagato JP. Process for producing silicon carbide single crystal and production apparatus therefor. USP2002066406539.
  17. Matsuse, Akihiro. Shield member and apparatus for growing single crystal equipped with the same. USP2015129222197.
  18. Sakaguchi,Yasuyuki; Takagi,Atsushi; Oyanagi,Naoki. Silicon carbide single crystal and method and apparatus for producing the same. USP2008057371281.

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