$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

Method of making SiC single crystal and apparatus for making SiC single crystal

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C30B-023/00
  • C30B-025/00
  • C30B-029/36
출원번호 US-0231628 (1999-01-15)
우선권정보 JP0012646 (1998-01-26)
발명자 / 주소
  • Shiomi Hiromu,JPX
  • Nishino Shigehiro,JPX
출원인 / 주소
  • Nishino
  • Shigehiro, JPX
대리인 / 주소
    Smith, Gambrell & Russell, LLP
인용정보 피인용 횟수 : 18  인용 특허 : 10

초록

An apparatus comprises an Si-disposing section in which solid Si is disposed; a seed-crystal-disposing section in which a seed crystal of SiC is disposed; a synthesis vessel adapted to accommodate the Si-disposing section, the seed-crystal-disposing section, and carbon; heating means adapted to heat

대표청구항

[What is claimed is:] [1.]a disposing step of disposing solid Si within a first temperature area T.sub.1 and disposing a seed crystal of SiC within a second temperature area T.sub.2 that is higher than said first temperature area T.sub.1 ;an Si-evaporating step of evaporating Si from said first temp

이 특허에 인용된 특허 (10)

  1. Balakrishna Vijay ; Augustine Godfrey ; Gaida Walter E. ; Thomas R. Noel ; Hopkins Richard H., Advanced physical vapor transport method and apparatus for growing high purity single crystal silicon carbide.
  2. Larkin David J. (North Olmsted OH) Neudeck Philip G. (Strongsville OH) Powell J. Anthony (North Olmsted OH) Matus Lawrence G. (Amherst OH), Compound semiconductor and controlled doping thereof.
  3. Volkl Johannes,DEX ; Lanig Peter,DEX, Device for producing SiC single crystals.
  4. Balakrishna Vijay ; Thomas R. Noel ; Augustine Godfrey ; Hopkins Richard H. ; Hobgood H. McDonald, Method and apparatus for growing high purity single crystal silicon carbide.
  5. Stein Rene,DEX ; Rupp Roland,DEX, Method of producing boron-doped monocrystalline silicon carbide.
  6. Barrett Donovan L. ; Thomas Richard N. ; Seidensticker ; deceased Raymond G. ; Hopkins Richard H., Method of producing large diameter silicon carbide crystals.
  7. Sugiyama Naohiro,JPX ; Okamoto Atsuto,JPX ; Tani Toshihiko,JPX ; Kamiya Nobuo,JPX, Method of producing silicon carbide single crystal.
  8. Kitou Yasuo,JPX ; Sugiyama Naohiro,JPX ; Okamoto Atsuto,JPX ; Tani Toshihiko,JPX ; Kamiya Nobuo,JPX, Method of producing single crystals and a seed crystal used in the method.
  9. Hunter Charles Eric, Production of bulk single crystals of silicon carbide.
  10. Davis Robert F. (Raleigh NC) Carter ; Jr. Calvin H. (Raleigh NC) Hunter Charles E. (Durham NC), Sublimation of silicon carbide to produce large, device quality single crystals of silicon carbide.

이 특허를 인용한 특허 (18)

  1. Tsvetkov,Valeri F.; Malta,David Phillip; Jenny,Jason Ronald, Apparatus and method for the production of bulk silicon carbide single crystals.
  2. Liu, Heng, Light-emitting diode with silicon carbide substrate.
  3. Hara, Kazukuni; Nagakubo, Masao; Onda, Shoichi, Manufacturing method for producing silicon carbide crystal using source gases and apparatus for the same.
  4. Kazukuni Hara JP; Kouki Futatsuyama JP; Shoichi Onda JP; Fusao Hirose JP; Emi Oguri JP; Naohiro Sugiyama JP; Atsuto Okamoto JP, Method and apparatus for fabricating high quality single crystal.
  5. Shigeto, Masashi; Yano, Kotaro; Nagato, Nobuyuki, Method and apparatus for producing silicon carbide single crystal.
  6. Shigeto, Masashi; Yano, Kotaro; Nagato, Nobuyuki, Method and apparatus for producing silicon carbide single crystal.
  7. Kondo, Hiroyuki; Oguri, Emi; Hirose, Fusao; Nakamura, Daisuke; Okamoto, Atsuto; Sugiyama, Naohiro, Method and apparatus for producing single crystal, substrate for growing single crystal and method for heating single crystal.
  8. Lampert,William V.; Eiting,Christopher J.; Smith,Scott A.; Haas,Trice W., Method of growing homoepitaxial silicon carbide.
  9. Golan, Gady, Method of producing silicon carbide.
  10. Gady Golan IL, Method of producing silicon carbide: heating and lighting elements.
  11. Mueller, Stephan, Methods of fabricating silicon carbide crystals.
  12. Mueller,Stephan, Methods of fabricating silicon carbide crystals.
  13. Mueller,Stephan, Methods of fabricating silicon carbide crystals.
  14. Sudarshan, Tangali S.; Srivastava, Amitesh, Methods of growing a silicon carbide epitaxial layer on a substrate to increase and control carrier lifetime.
  15. Sudarshan, Tangali S.; Srivastava, Amitesh, Methods of growing a silicon carbide epitaxial layer on a substrate to increase and control carrier lifetime.
  16. Masashi Shigeto JP; Kotaro Yano JP; Nobuyuki Nagato JP, Process for producing silicon carbide single crystal and production apparatus therefor.
  17. Matsuse, Akihiro, Shield member and apparatus for growing single crystal equipped with the same.
  18. Sakaguchi,Yasuyuki; Takagi,Atsushi; Oyanagi,Naoki, Silicon carbide single crystal and method and apparatus for producing the same.
섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트