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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0076971 (1998-08-07) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 16 인용 특허 : 5 |
A substrate processing system includes a processing chamber, a substrate holder positioned in the chamber, a gas source for supplying a process gas to the chamber, first and second ion sources located in the chamber, and a power source for energizing the first and second ion sources. Each ion source
[What is clained is:] [1.]a processing chamber;a substrate holder positioned in said processing chamber;a gas source coupled to said processing chamber for supplying a process gas to said processing chamber;a first ion source in said chamber for ionizing said process gas to produce ions for processi
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