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Method for forming dual damascene structures 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021/441
출원번호 US-0137525 (1998-08-21)
발명자 / 주소
  • McTeer Allen
출원인 / 주소
  • Micron Technology, Inc.
대리인 / 주소
    Dickstein Shapiro Morin & Ohinsky LLP
인용정보 피인용 횟수 : 13  인용 특허 : 11

초록

A method for forming Dual Damascene structures wherein a via is etched to an element to be contacted, a non-photoreactive protective layer is deposited in the via, and an intersecting trench is formed. The protective layer is then removed, together with any residual debris resulting from the trench

대표청구항

[What is claimed as new and desired to be protected by Letters Patent of the United States is:] [1.]forming a layer of etchable material;removing a portion of said etchable material to form a via;forming a protective layer within and along the bottom of said via, said protective layer protecting sai

이 특허에 인용된 특허 (11)

  1. Kirlin Peter S. ; Van Buskirk Peter C., Chemical mechanical polishing of FeRAM capacitors.
  2. Ireland Philip J. (Nampa ID), Double mask process for forming trenches and contacts during the formation of a semiconductor memory device.
  3. Nguyen Tue ; Hsu Sheng Teng, Low resistance contact between integrated circuit metal levels and method for same.
  4. Nishii Katsunori (Hirakata JPX), Method of fabricating a fine structure electrode.
  5. Givens John H., Method of forming contact vias and interconnect channels in a dielectric layer stack with a single mask.
  6. Dennison Charles H. (Boise ID) Doan Trung T. (Boise ID), Method of making self aligned contacts to silicon substrates during the manufacture of integrated circuits.
  7. Park Byung-Sun (Yusong-ku KRX) Oh Yong-Ho (Joong-ku KRX) Choi Sang-Soo (Yusong-ku KRX) Yoo Hyung-Joun (Yusong-ku KRX), Photomask for forming T-gate electrode of the semiconductor device.
  8. Park Byung-Sun (Yusong-ku KRX) Oh Yong-Ho (Joong-ku KRX) Choi Sang-Soo (Yusong-ku KRX) Yoo Hyung-Joun (Yusong-ku KRX), Photomask for t-gate formation and process for fabricating the same.
  9. Cronin John E. (Milton VT) Farrar ; Sr. Paul A. (Burlington VT) Geffken Robert M. (Burlington VT) Guthrie William H. (Essex Junction VT) Kaanta Carter W. (Colchester VT) Previti-Kelly Rosemary A. (Ri, Plural level chip masking.
  10. Dennison Charles H. (Boise ID), Semiconductor electrical interconnection methods.
  11. Dalal Hormazdyar M. ; Nguyen Du Binh ; Rathore Hazara S., Sub-half-micron multi-level interconnection structure and process thereof.

이 특허를 인용한 특허 (13)

  1. Lamb, III, James E.; Shao, Xie, Crosslinkable fill compositions for uniformly protecting via and contact holes.
  2. Coolbaugh, Douglas D.; Downes, Keith E.; Lindgren, Peter J.; Stamper, Anthony K., Dual-damascene process to fabricate thick wire structure.
  3. Coolbaugh, Douglas D.; Downes, Keith E.; Lindgren, Peter J.; Stamper, Anthony K., Dual-damascene process to fabricate thick wire structure.
  4. Coolbaugh, Douglas D.; Downes, Keith E.; Lindgren, Peter J; Stamper, Anthony K., Dual-damascene process to fabricate thick wire structure.
  5. James E. Lamb, III ; Xie Shao, Fill material for dual damascene processes.
  6. Lamb, III,James E.; Shao,Xie, Fill material for dual damascene processes.
  7. Goswami, Jaydeb; McTeer, Allen, Low-resistance interconnects and methods of making same.
  8. Goswami, Jaydeb; McTeer, Allen, Low-resistance interconnects and methods of making same.
  9. Tsujimoto, Hiroshi, Method and apparatus for manufacturing semiconductor device, control program and computer storage medium.
  10. Zhang, Liping; Baklanov, Mikhail, Method for producing an integrated circuit including a metallization layer comprising low K dielectric material.
  11. McTeer, Allen, System and method for sputtering a tensile silicon nitride film.
  12. Li, SiYi; Sadjadi, S. M. Reza; Pirkle, David R.; Lassig, Steve; Kang, Sean; Pohray, Vinay; Cirigliano, Peter, Trench etch process for low-k dielectrics.
  13. Robert Tsu ; Qi-Zhong Hong ; William R. Mckee, Yield improvement of dual damascene fabrication through oxide filling.
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