최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0064374 (1998-04-22) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 172 인용 특허 : 5 |
A process for forming controlled airgaps (22) between metal lines (16). A two-step high density plasma (HDP) chemical vapor deposition (CVD) process is used to form the silicon dioxide dielectric layer (20) with the controlled airgaps (22). The first step involves a high gas flow and low substrate b
[What is claimed is:] [1.]depositing a layer of material over said two structures using a two-step CVD HDP process, wherein a first of said two steps uses a high gas flow rate of at least one gas and a low substrate bias power to create a void between said two structures and a second of said two ste
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.