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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0853863 (1997-05-09) |
우선권정보 | JP0115108 (1996-05-09) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 2 |
A semiconductor fabrication apparatus for evaporating a material in a growth chamber by a molecular beam epitaxy technique to fabricate a semiconductor is provided. The apparatus includes: an ultra-high vacuum chamber including a liquid nitrogen cold trap therein, the ultra-high vacuum chamber being
[What is claimed is:] [1.]an ultra-high vacuum chamber including a liquid nitrogen cold trap therein, the ultra-high vacuum chamber being connected to the growth chamber via a valve;a first evacuation system including an ultra-high vacuum evacuation system, the first evacuation system being connecte
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