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Method of forming silicon oxy-nitride films by plasma-enhanced chemical vapor deposition

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021/36
출원번호 US-0347067 (1999-07-02)
발명자 / 주소
  • Law Kam
  • Olsen Jeff
출원인 / 주소
  • Applied Materials, Inc.
대리인 / 주소
    Morris
인용정보 피인용 횟수 : 14  인용 특허 : 6

초록

An improved method of producing silicon oxy-nitride films is provided by utilizing a reactant gas mixture of silane, nitrous oxide and nitrogen at a low deposition temperature of less than 250.degree. C. by flowing the reactant gas mixture through a gas inlet manifold which is also an upper electrod

대표청구항

[The embodiments of the invention in which an exclusive property or privilege is claimed are defined as follows:] [1.]employing a first and second electrode for reacting at a deposition temperature of less than about 250.degree. C. and at a deposition pressure of between about 0.5 and 3.5 Torr a rea

이 특허에 인용된 특허 (6)

  1. Foster Robert (San Francisco CA) Wang David N. (Cupertino CA) Somekh Sasson (Redwood City CA) Maydan Dan (Los Altos Hills CA), Apparatus and method for magnetron-enhanced plasma-assisted chemical vapor deposition.
  2. Gimpelson George E. (Newport News VA), Fabrication of oxynitride frontside microstructures.
  3. Chang Mei (Cupertino CA) Wang David N. K. (Cupertino CA) White John M. (Hayward CA) Maydan Dan (Los Altos Hills CA), Inlet manifold and methods for increasing gas dissociation and for PECVD of dielectric films.
  4. Ito, Toshiyo; Ohshima, Jiro, Method of forming through holes by differential etching of stacked silicon oxynitride layers.
  5. Yoshida Takeshi (Tsukuba JPX) Itabashi Masahiko (Tsukuba JPX), Process for forming insulating film used in thin film electroluminescent device.
  6. Kaganowicz Grzegorz (Belle Mead NJ) Enstrom Ronald E. (Skillman NJ) Robinson John W. (Levittown PA), Silicon oxynitride passivated semiconductor body and method of making same.

이 특허를 인용한 특허 (14)

  1. Metzner, Craig R.; Kher, Shreyas S.; Gopal, Vidyut; Han, Shixue; Athreya, Shankarram A., ALD metal oxide deposition process using direct oxidation.
  2. Metzner, Craig R.; Kher, Shreyas S.; Gopal, Vidyut; Han, Shixue; Athreya, Shankarram A., ALD metal oxide deposition process using direct oxidation.
  3. Chen, Chia-Lin; Lee, Tze Liang; Chen, Shih-Chang, Device performance improvement by heavily doped pre-gate and post polysilicon gate clean.
  4. Narwankar, Pravin K.; Higashi, Gregg, Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material.
  5. Clough, Thomas J., Metal oxyanion coated nano substrates.
  6. Clough, Thomas J., Metal oxyanion coated porous substrates.
  7. Clough, Thomas J., Metal oxyanion coated substrates.
  8. Chua, Thai Cheng; Hung, Steven; Liu, Patricia M.; Sato, Tatsuya; Paterson, Alex M.; Todorov, Valentin; Holland, John P., Method and apparatus for fabricating a high dielectric constant transistor gate using a low energy plasma system.
  9. Olsen, Christopher Sean; Chua, Thai Cheng; Hung, Steven; Liu, Patricia M.; Sato, Tatsuya; Paterson, Alex M.; Todorow, Valentin; Holland, John P., Method and apparatus for fabricating a high dielectric constant transistor gate using a low energy plasma system.
  10. Chua, Thai Cheng; Paterson, Alex M.; Hung, Steven; Liu, Patricia M.; Sato, Tatsuya; Todorow, Valentin; Holland, John P., Method of fabricating a high dielectric constant transistor gate using a low energy plasma apparatus.
  11. Sun, Jennifer Y.; He, Xiao-Ming; Thach, Senh, Plasma resistant coatings for plasma chamber components.
  12. Chen, Chia-Lin; Lee, Tze-Liang; Chen, Shih-Chang, Semiconductor wafer manufacturing methods employing cleaning delay period.
  13. Ngo, Minh Van; Halliyal, Arvind, Silicon-starved PECVD method for metal gate electrode dielectric spacer.
  14. Clough, Thomas J., Thin film metal oxyanion coated substrates.
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