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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0237258 (1999-01-26) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 51 인용 특허 : 15 |
Submicron-dimensioned metallization patterns are formed on a substrate surface by a photo-activated selective, anisotropic etching process, wherein selective portions of a metal layer are exposed to collimated UV passing through a pattern of submicron-sized openings in an overlying exposure mask. At
[What is claimed is:] [1.](a) providing a substrate comprising a semiconductor wafer with a surface having a dielectric layer fonned thereover, said dielectric layer comprising a surface including a first in-laid metallization pattern including a plurality of spaced-apait metal features forming elec
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