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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0111690 (1998-07-08) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 8 인용 특허 : 10 |
The present invention allows optimum filling of void spaces typically found in skutterudite type crystal lattice structures associated with various semiconductor materials. Selective filling of such void spaces in the associated lattice structure provides semiconductor materials which are particular
[What is claimed is:] [1.]multiple unit cells with each unit cell having thirty-two atomic crystallographic sites;each unit cell having eight subcells with six of the subcells filled with planar rings of four atoms of one or more semimetal or nonmetal atoms and two subcells which normally define a r
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