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RF transistor package with nickel oxide barrier 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-023/02
출원번호 US-0227424 (1994-04-14)
발명자 / 주소
  • Butera Gasper
출원인 / 주소
  • STMicroelectronics, Inc.
대리인 / 주소
    Galanthay
인용정보 피인용 횟수 : 5  인용 특허 : 11

초록

An improved transistor package with superior stability to wave soldering, having a nickel oxide barrier strip formed on the surface of the leads.

대표청구항 ▼

[What is claimed is:] [7.]a copper flange;a beryllium oxide pill having a thin gold coating mounted on said flange;a transistor die mounted on the pill;gold-plated leads mounted on said pill, said leads electrically connected to said transistor die, said leads having nickel oxide barrier strips near

이 특허에 인용된 특허 (11)

  1. Matsushita Yasuo (Hitachi JPX) Nakamura Kousuke (Hitachi JPX) Ura Mitsuru (Hitachi JPX), Ceramic packaged semiconductor device.
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  2. Ehlert Michael R. (Beaverton OR) Helderman Earl R. (Hillsboro OR), Heat sink device using composite metal alloy.
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  3. Frey Richard H. (Hampton NJ), High frequency power transistor having reduced interconnection inductance and thermal resistance.
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  4. Granberg Helge O. (Phoenix AZ) Coffman Samuel L. (Scottsdale AZ), High power RF transistor assembly.
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  5. Narayan Jagdish (Knoxville TN), Laser method for forming low-resistance ohmic contacts on semiconducting oxides.
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  6. Benjamin James A. (Boxford MA), Microwave transistor package.
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  7. Borkowski Michael T. (Framingham MA) Laighton David G. (Boxboro MA) Altschul Barry (Framingham MA), Microwave transistor package.
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  8. Smith John Marvin (Glen Ellyn IL), RF power semiconductor package and method of manufacture.
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  9. Miyamoto Takashi (Tokyo JPX), Semiconductor device having ceramic package incorporated with a heat-radiator.
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  10. Yester ; Jr. Francis R. (Mt. Prospect IL), Structure and technique for achieving reduced inductive effect of undesired components of common lead inductance in a se.
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  11. Presser Adolph (Kendall Park NJ) Mykietyn Edward (W. Windsor NJ), Variable tuning and feedback on high power microwave transistor carrier amplifier.
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이 특허를 인용한 특허 (5)

  1. Chiu, Tz Cheng; Dunne, Rajiv Carl, Arrangement in semiconductor packages for inhibiting adhesion of lid to substrate while providing compression support.
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  2. Chiu,Tz Cheng; Dunne,Rajiv Carl, Arrangement in semiconductor packages for inhibiting adhesion of lid to substrate while providing compression support.
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  3. Weekamp, Johannus Wilhelmus; Jorritsma, Jorrit; Tijssen, Edwin Petrus Alois Maria; De Samber, Marc Andre, Electronic device having an electronic component with a multi-layer cover, and method.
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  4. Liu Sheng-Tsung,TWX, Electronic package.
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  5. Hyodo, Haruo; Kimura, Shigeo; Takano, Yasuhiro, Hollow airtight semiconductor device package.
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