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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0032197 (1998-02-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 40 인용 특허 : 36 |
A typical integrated-circuit fabrication requires interconnecting millions of microscopic transistors and resistors with aluminum wires. Yet, aluminum wires have greater electrical resistance and are less reliable than copper wires. Unfortunately, current techniques for making copper wires are time-
[What is claimed is:] [1.]forming a hole or trench in a layer of the integrated-circuit assembly;forming a first diffusion barrier inside the hole or trench;forming a second diffusion barrier on the layer adjacent the hole or trench through jet-vapor deposition of a diffusion-barring material; andat
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