[특허]Method of producing rough polysilicon by the use of pulsed plasma chemical vapor deposition and products produced by same

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-021/44
출원번호	US-0127159 (1998-07-31)
발명자 / 주소	Sandhu Gurtej S. Doan Trung T.
출원인 / 주소	Micron Technology, Inc.
대리인 / 주소	Fletcher, Yoder & Van Someren
인용정보	피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 16

초록

A method for depositing a rough polysilicon film on a substrate is disclosed. The method includes introducing the reactant gases argon and silane into a deposition chamber and enabling and disabling a plasma at various times during the deposition process.

대표청구항 ▼

[ What is claimed is:] [1.]1. A method for depositing a rough polysilicon film on a substrate, said method comprising the steps of:(a) introducing reactant gas into a deposition chamber containing said substrate; and(b) repetitively enabling and disabling a plasma within the deposition chamber to de

이 특허에 인용된 특허 (16)

Jost Stephen (Trbbach CHX) Senn Leonhard (Mauren LIX), Apparatus for producing a protective coating on substrates.
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Gleason Karen K. ; Limb Scott J.H. ; Gleason Edward F. ; Sawin Herbert H. ; Edell David J., Chemical vapor deposition of fluorocarbon polymer thin films.
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Chua Hua-Thye (Los Altos CA) Chan Andrew K. (Palo Alto CA) Birkner John M. (Portola Valley CA) Whitten Ralph G. (San Jose CA) Bechtel Richard L. (Sunnyvale CA) Thomas Mammen (San Jose CA), Electrically programmable interconnect structure having a PECVD amorphous silicon element.
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Weimer Ronald A. (Boise ID) Kepten Avishai (Beit H\Cerem ILX) Sendler Michael (Migdal Ha\emek ILX), Method of forming polysilicon having a desired surface roughness.
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Hirota Toshiyuki (Tokyo JPX) Honma Ichirou (Tokyo JPX) Watanabe Hirohito (Tokyo JPX) Zenke Masanobu (Tokyo JPX), Method of making a semiconductor integrated circuit device having a capacitor with a porous surface of an electrode.
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Jun Young-Kwon (Seoul KRX), Method of making memory cell capacitor.
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Sekine Makoto (Tokyo JPX) Kamiyama Satoshi (Tokyo JPX), Method of manufacturing a semiconductor device.
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Sandhu, Gurtej S.; Doan, Trung T., Method of providing a silicon film having a roughened outer surface.
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Bennett Reid S. (Wappingers Falls NY) Ellingboe Albert R. (Palo Alto CA) Gifford George G. (Croton-on-Hudson NY) Haller Kurt L. (Peekskill NY) McKillop John S. (Satellite Beach FL) Selwyn Gary S. (Ho, Methods and apparatus for contamination control in plasma processing.
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Saitoh Kimihiko (Kanagawa-ken JPX) Ishiguro Nobuyuki (Kanagawa-ken JPX) Sadamoto Mitsuru (Kanagawa-ken JPX) Fukuda Shin (Kanagawa-ken JPX) Ashida Yoshinori (Kanagawa-ken JPX) Fukuda Nobuhiro (Kanagaw, Process for forming a thin microcrystalline silicon semiconductor film.
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Kawakami Soichiro (Hikone) Kanai Masahiro (Tokyo) Aoki Takeshi (Machida JPX), Process for the formation of a polycrystalline semiconductor film by microwave plasma chemical vapor deposition method.
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Jost Stephen (Trbbach CHX) Senn Leonhard (Mauren LIX), Protective coating on substrates.
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Batey John (Danbury CT) Boland John J. (Stormville NY) Parsons Gregory N. (Tarrytown NY), Pulsed gas plasma-enhanced chemical vapor deposition of silicon.
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Heinecke Rudolf A. (Essex GB3) Ojha Sureshchandra M. (Essex GB3) Llewellyn Ian P. (Essex GB3), Pulsed plasma apparatus and process.
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Sandhu Gurtej S. (Boise ID) Doan Trung T. (Boise ID), Pulsed plasma enhanced CVD of metal silicide conductive films such as TiSi₂.
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Heinecke Rudolf A. H. (Harlow GB2) Ojha Suresh M. (Harlow GB2) Llewellyn Ian P. (Harlow GB2), Pulsed plasma process for treating a substrate.
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이 특허를 인용한 특허 (1)

Sandhu,Gurtej S.; Doan,Trung T., Method of producing rough polysilicon by the use of pulsed plasma chemical vapor deposition and products produced by same.
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IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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