최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0478255 (2000-01-06) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 24 인용 특허 : 5 |
A method for forming high frequency connections between a fragile chip and a substrate is described, wherein metal is selectively deposited on a surface of a chip and a surface of a substrate, and corresponding patterns of electrically conductive bumps are selectively evaporated on the surface of th
[ What is claimed is:] [1.]1. A method for forming connections between a chip and a substrate comprising:selectively depositing a first metal layer on a surface of said chip;selectively depositing a second metal layer on a surface of said substrate;selectively forming a pattern of electrically condu
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.