$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

Method for producing a monocrystalline layer of a conducting or semiconducting material 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C30B-001/02
출원번호 US-0235018 (1999-01-21)
우선권정보 DE9802131 (1998-01-21)
발명자 / 주소
  • Laermer Franz,DEX
  • Frey Wilhelm,DEX
출원인 / 주소
  • Robert Bosch GmbH, DEX
대리인 / 주소
    Kenyon & Kenyon
인용정보 피인용 횟수 : 1  인용 특허 : 9

초록 ▼

To produce monocrystalline layers of conducting or semiconducting materials on porous monocrystalline layers of the same material in a reproducible and time-saving manner, a method is provided which involves applying an amorphous layer of the same material to the porous material and converting the a

대표청구항 ▼

[ What is claimed is:] [1.]1. A method for producing a first monocrystalline layer of a particular material, the particular material being one of a conducting material and a semi-conducting material, the method comprising the steps of:providing a second porous monocrystalline layer composed of the p

이 특허에 인용된 특허 (9)

  1. Hara Masaki (Kanagawa JPX) Sano Naoki (Kanagawa JPX) Sameshima Toshiyuki (Kanagawa JPX) Kohno Atsushi (Kanagawa JPX) Sekiya Mitsunobu (Kanagawa JPX) Kanaya Yasuhiro (Kanagawa JPX) Yano Michihisa (Kan, Method and apparatus for fabricating a thin film semiconductor device.
    상세보기
  2. Bertagnolli Emmerich (Munich DEX) Kabza Herbert (Munich DEX), Method for manufacturing a polycrystalline layer on a substrate.
    상세보기
  3. Sato Nobuhiko,JPX ; Yonehara Takao,JPX ; Sakaguchi Kiyofumi,JPX, Method for producing semiconductor substrate.
    상세보기
  4. Noguchi Shigeru (Hirakata JPX) Sano Keiichi (Moriguchi JPX) Iwata Hiroshi (Neyagawa JPX), Method of forming crystalline silicon film and solar cell obtained thereby.
    상세보기
  5. Weimer Ronald A. (Boise ID) Kepten Avishai (Beit H\Cerem ILX) Sendler Michael (Migdal Ha\emek ILX), Method of forming polysilicon having a desired surface roughness.
    상세보기
  6. Hodge Alison M. (Worcestershire GB2) Keen John M. (Worcestershire GB2), Method of making silicon-on-porous-silicon by ion implantation.
    상세보기
  7. Sakaguchi Kiyofumi (Atsugi JPX) Yonehara Takao (Atsugi JPX), Method of producing semiconductor substrate.
    상세보기
  8. Sakaguchi Kiyofumi,JPX ; Yonehara Takao,JPX, Process for production of semiconductor substrate.
    상세보기
  9. Sakaguchi Kiyofumi (Atsugi JPX) Yonehara Takao (Atsugi JPX), Semiconductor device substrate and process for preparing the same.
    상세보기

이 특허를 인용한 특허 (1)

  1. DeSouza, Joel P.; Fogel, Keith E.; Reznicek, Alexander; Sadana, Devendra, Formation of SOI by oxidation of silicon with engineered porosity gradient.
    상세보기

관련 콘텐츠

섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트

맨위로