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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0252568 (1999-02-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 68 인용 특허 : 6 |
A method and an apparatus have been developed to grow beta-silicon carbide nanorods, and prepare patterned field-emitters using different kinds of chemical vapor deposition methods. The apparatus includes graphite powder as the carbon source, and silicon powder as silicon sources. Metal powders (Fe,
[ What is claimed is:] [1.]1. A method for the growth of beta-silicon carbide nanorods on a substrate by chemical vapor deposition, wherein solid carbon and solid silicon are used as the carbon and silicon sources, hydrogen is used as a reactant gas, and wherein a metal powder is used as a catalyst.
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