[특허]Electrode structure and method for fabricating the same

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-033/00
출원번호	US-0287538 (1999-04-06)
우선권정보	JP0167124 (1994-07-19)
발명자 / 주소	Teraguchi Nobuaki,JPX
출원인 / 주소	Sharp Kabushiki Kaisha, JPX
대리인 / 주소	Morrison & Foerster LLP
인용정보	피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 7

초록 ▼

The electrode structure of the invention includes a p-type Al.sub.x Ga.sub.y In.sub.1-x-y N (0.ltoreq.x.ltoreq.1, 0.ltoreq.y.ltoreq.1, x+y.ltoreq.1) semiconductor layer and an electrode layer formed on the semiconductor layer. In the electrode structure, the electrode layer contains a mixture of a m

대표청구항 ▼

[ What is claimed is:] [1.]1. An electrode structure comprising a p-type Al.sub.x Ga.sub.y In.sub.1-x-y N(0.ltoreq.x.ltoreq.1, 0y.ltoreq.1, x+y.ltoreq.1) semiconductor layer and an electrode layer formed on the semiconductor layer,wherein the semiconductor layer is doped with Mg and the electrode la

이 특허에 인용된 특허 (7)

Hatano Ako (Tokyo JPX) Ohba Yasuo (Yokohama JPX), Compound semicondutor light-emitting device.
상세보기
Teraguchi Nobuaki (Nara-ken JPX), Electrode structure and method for fabricating the same.
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Imai Hideaki (Fuji JPX) Miyata Kunio (Kyoto JPX) Hirai Tadahiko (Koganei JPX), Nitride based semiconductor device and manufacture thereof.
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Tomikawa Tadashi (Hyogo JPX) Kimoto Tunenobu (Hyogo JPX) Fujita Nobuhiko (Hyogo JPX), Ohmic contact electrodes for N-type semiconductor cubic boron nitride.
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Shimoyama Kenji,JPX ; Gotoh Hideki,JPX, Semiconductor device having contact resistance reducing layer.
상세보기
Sassa Michinari (Aichi-ken JPX) Koike Masayoshi (Aichi-ken JPX) Manabe Katsuhide (Aichi-ken JPX) Koide Norikatsu (Aichi-ken JPX) Kato Hisaki (Aichi-ken JPX) Shibata Naoki (Aichi-ken JPX) Asai Makoto , Semiconductor device having group III nitride compound and enabling control of emission color, and flat display comprisi.
상세보기
Akiyama Koji (Neyagawa JPX) Ogiwara Akifumi (Hirakata JPX) Ogawa Hisahito (Ikoma-gun JPX), Spatial light modulator, method of production thereof and projection-type display.
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이 특허를 인용한 특허 (4)

Takatani, Kunihiro, Electrode structure on P-type III group nitride semiconductor layer and formation method thereof.
상세보기
DaCosta,David H.; Golben,P. Mark; Tragna,David C., Fuel gauge for hydrogen storage media.
상세보기
DaCosta,David H.; Golben,P. Mark; Tragna,David C., Fuel gauge for hydrogen storage media.
상세보기
Ellis,Timothy W.; Murdeshwar,Nikhil; Eshelman,Mark A.; Rheault,Christian, Semiconductor copper bond pad surface protection.
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관련 콘텐츠

특허 원문 보기

KIPRIS 원문보기

IPC 상위 출원인

특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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내보내기 구분	파일저장 인쇄 메일전송
구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표IPC 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 공고번호, 공고일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표출원인, 출원인국적, 출원인주소, 발명자, 발명자E, 발명자코드, 발명자주소, 발명자 우편번호, 발명자국적, 대표IPC, IPC코드, 요약, 미국특허분류, 대리인주소, 대리인코드, 대리인(한글), 대리인(영문), 국제공개일자, 국제공개번호, 국제출원일자, 국제출원번호, 우선권, 우선권주장일, 우선권국가, 우선권출원번호, 원출원일자, 원출원번호, 지정국, Citing Patents, Cited Patents
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