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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0233450 (1999-01-20) |
우선권정보 | JP0026037 (1996-01-20) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 53 인용 특허 : 149 |
Concentration of metal element which promotes crystallization of silicon and which exists within a crystal silicon film obtained by utilizing the metal element is reduced. A first heat treatment for crystallization is implemented after introducing nickel to an amorphous silicon film. Then, after obt
[ What is claimed is:] [1.]1. A method for fabricating a semiconductor device, comprising steps of:forming a semiconductor film comprising amorphous silicon over a substrate;introducing a metal element which promotes crystallization of silicon to said semiconductor film;crystallizing said semiconduc
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