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특허 상세정보

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Ferroelectric integrated circuit having low sensitivity to hydrogen exposure and method for fabricating same

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) H01L-021/824.2   
미국특허분류(USC) 438/240 ; 438/396 ; 438/253 ; 438/722
출원번호 US-0062264 (1998-04-17)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
대리인 / 주소
    Duft, Graziano & Forest, P.C.
인용정보 피인용 횟수 : 14  인용 특허 : 7
초록
▼

A hydrogen barrier layer is formed above a ferroelectric thin film in an integrated circuit. The hydrogen barrier layer is directly over a protected segment of the ferroelectric thin film, while a sacrificial segment of the ferroelectric thin film extends laterally beyond the edges of the hydrogen barrier layer. The sacrificial segment absorbs hydrogen so that it cannot diffuse laterally into the protected segment of the ferroelectric thin film. After it absorbs hydrogen, the sacrificial segment is etched away to allow electrical connection to circuit la...

대표
청구항
▼

[ We claim:] [9.]9. A method for fabricating an integrated circuit comprising the sequential steps of:providing a substrate;forming a bottom electrode on said substrate;forming a thin film of metal oxide material above said bottom electrode, said thin film having a protected segment and a sacrificial segment, and said thin film having a thickness less than 0.5 micron;forming a top electrode directly over at least a portion of said protected segment of said thin film of metal oxide material;forming a hydrogen barrier layer directly over at least a portion...

이 특허에 인용된 특허 (7)

  1. Watanabe Hitoshi (Tokyo JPX) Kuroda Yoshimi (Funabashi JPX) Tadokoro Kaoru (Tokyo JPX). Ferroelectric memory. USP1996015481490.
  2. Cuchiaro Joseph D. ; Solayappan Narayan ; Paz de Araujo Carlos A. ; McMillan Larry D.. Low imprint ferroelectric material for long retention memory and method of making the same. USP1998075784310.
  3. Ito Takeshi (Colorado Springs CO) Paz de Araujo Carlos A. (Colorado Springs CO) Watanabe Hitoshi (Tokyo CO JPX) Scott Michael C. (Colorado Springs CO). Low temperature process for fabricating layered superlattice materialsand making electronic devices including same. USP1996045508226.
  4. Kirlin Peter S.. Method of fabricating a ferrolelectric capacitor with a graded barrier layer structure. USP1999075923970.
  5. Watanabe Hitoshi (Tokyo CO JPX) Paz De Araujo Carlos A. (Colorado Springs CO) Yoshimori Hiroyuki (Kanagawa CO JPX) Scott Michael C. (Colorado Springs CO) Mihara Takashi (Saitama CO JPX) Cuchiaro Jose. Process for fabricating layered superlattice materials and making electronic devices including same. USP1995085439845.
  6. Watanabe Hitoshi (Tokyo CO JPX) Paz De Araujo Carlos A. (Colorado Springs CO) Yoshimori Hiroyuki (Kanagawa CO JPX) Scott Michael C. (Colorado Springs CO) Mihara Takashi (Saitama CO JPX) Cuchiaro Jose. Process for fabricating layered superlattice materials and making electronic devices including same. USP1995075434102.
  7. Takenaka Kazuhiro (Suwa JPX) Fujisawa Akira (Suwa JPX). Semiconductor device having a transistor, a ferroelectric capacitor and a hydrogen barrier film. USP1996065523595.

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 14

  1. Mikawa,Takumi; Judai,Yuji; Hayashi,Shinichiro. Capacitor and method for fabricating the same. USP2008087413949.
  2. Ramer,Orville G.; Billette,Stuart C.. Ferroelectric capacitor circuit for sensing hydrogen gas. USP2008037345331.
  3. Dimmler, Klaus; Gnadinger, Alfred P.. Ferroelectric transistor for storing two data bits. USP2005056888736.
  4. Dimmler, Klaus; Gnadinger, Alfred P.. Ferroelectric transistor for storing two data bits. USP2004036714435.
  5. Dimmler,Klaus; Gnadinger,Alfred P.. Ferroelectric transistor for storing two data bits. USP2006047034349.
  6. Dimmler, Klaus; Gnadinger, Alfred P.. Ferroelectric transistor with enhanced data retention. USP2004116825517.
  7. Dimmler, Klaus; Gnadinger, Alfred P.. Ferroelectric transistor with enhanced data retention. USP2004096790679.
  8. Armacost, Michael D.; Augustin, Andreas K.; Friese, Gerald R.; Heidenreich, III, John E.; Hueckel, Gary R.; Stein, Kenneth J.. Metal-insulator-metal capacitor in copper. USP2004066750113.
  9. Choi, Eun-Seok; Yeom, Seung-Jin. Method for fabricating semiconductor memory device. USP2003026524868.
  10. Okita, Yoichi; Watanabe, Junichi; Sashida, Naoya. Method for manufacturing semiconductor device. USP2009067547558.
  11. Igarashi, Yasushi. Semiconductor device and method of fabricating the same. USP2004126828189.
  12. Komuro, Genichi; Kiuchi, Kenji. Semiconductor device and method of manufacturing the same. USP2009067550392.
  13. Gnadinger, Alfred P.. Single transistor ferroelectric memory cell, device and method for the formation of the same incorporating a high temperature ferroelectric gate dielectric. USP2004016674110.
  14. Gnadinger,Fred P.. Single transistor rare earth manganite ferroelectric nonvolatile memory cell. USP2006047030435.

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