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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0238082 (1999-01-26) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 25 인용 특허 : 3 |
A dendritic sponge which is directionally-grown on a substrate material has a high surface to volume ratio and is suitable for forming anodes for highly efficient capacitors. A dielectric film is formed on the sponge surface by oxidizing the surface. In a preferred embodiment, the dielectric is grow
[ Having thus described the preferred embodiment, the invention is now claimed to be:] [1.]1. A capacitor comprising:an anode which includes a directionally grown sponge having a high surface area, the sponge defining dendrites having a width of less than about 30 micrometers;a dielectric film on a
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