[특허]Precharge control signal generating circuit

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Precharge control signal generating circuit 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	G11C-007/00
출원번호	US-0617121 (2000-07-14)
우선권정보	JP0214537 (1999-07-29)
발명자 / 주소	Kai Yasukazu,JPX
출원인 / 주소	Oki Electric Industry Co., Ltd., JPX
대리인 / 주소	VenableFrank
인용정보	피인용 횟수 : 10 인용 특허 : 2

초록 ▼

A level shifter K1 receives a part of a precharge generation signal Sp, raises its level to a predetermined value, and transfers it to an NMOS transistor NT1. A capacitor Cp receives a part of the output of the level shifter K1, supplies it to a first electrode of a complementary amplifier composed of a PMOS transistor PT1 and an NMOS transistor NT2, and pumps an operation power source to a predetermined value. The operation power source of the complementary amplifier is pumped by an electric charge charged in the capacitor Cp, and the level of a precharge control signal Spc is raised.

대표청구항 ▼

[ What is claimed is:] [1.]1. A precharge control signal generating circuit in a precharge control circuit of a semiconductor memory, comprising:a complementary amplifier for receiving a precharge generation signal and outputting a precharge control signal;an operation power source supplying circuit for supplying an operation power source to the complementary amplifier, the circuit having a first electrode connected to a power source voltage of a device and a second electrode connected to a first electrode of the complementary amplifier;a level shifter for receiving a part of the precharge generation signal, raising its level to a value higher than the power source voltage of the device by a predetermined value, and transmitting it to the operation power source supplying circuit; anda capacitor for receiving a part of an output of the level shifter, supplying it to the first electrode of the complementary amplifier, and pumping the operation power source of the complementary amplifier by a predetermined value.

이 특허에 인용된 특허 (2)

Ozaki Kouji (Yokohama JPX) Miki Kazuhiko (Kawasaki JPX), Non-volatile semiconductor memory device capable of effecting high-speed operation with low voltage.
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Takahashi Hiroyuki,JPX, Semiconductor memory device having constant potential generator for clamping digit lines at constant level allowing prec.
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이 특허를 인용한 특허 (10)

McCollum,John; Bellippady,Vidya; Bakker,Gregory, Flash/dynamic random access memory field programmable gate array.
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McCollum,John; Bellippady,Vidya; Bakker,Gregory, Flash/dynamic random access memory field programmable gate array.
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McCollum,John; Bellippady,Vidya; Bakker,Gregory, Flash/dynamic random access memory field programmable gate array.
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Fujikawa,Shinsuke, Level shifter, level shift circuit, electro-optical device, and electronic apparatus.
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Sim,Jae Yoon, Memory device that recycles a signal charge.
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Kirsch, Howard C., Method and system for accelerating coupling of digital signals.
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Kirsch, Howard C., Method and system for accelerating coupling of digital signals.
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Lee, Kyong Ha; Lee, Jong Won, Precharge control circuit.
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Brox,Martin; Schneider,Helmut, Semiconductor memory.
상세보기
Kim, Hyung-Tae; Jung, Ji-Woon, Voltage level conversion circuits and display devices including the same.
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관련 콘텐츠

특허 원문 보기

KIPRIS 원문보기

IPC 상위 출원인

특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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내보내기 구분	파일저장 인쇄 메일전송
구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표IPC 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 공고번호, 공고일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표출원인, 출원인국적, 출원인주소, 발명자, 발명자E, 발명자코드, 발명자주소, 발명자 우편번호, 발명자국적, 대표IPC, IPC코드, 요약, 미국특허분류, 대리인주소, 대리인코드, 대리인(한글), 대리인(영문), 국제공개일자, 국제공개번호, 국제출원일자, 국제출원번호, 우선권, 우선권주장일, 우선권국가, 우선권출원번호, 원출원일자, 원출원번호, 지정국, Citing Patents, Cited Patents
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