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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0187460 (1998-11-04) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 69 인용 특허 : 10 |
A method and apparatus for depositing a low dielectric constant film includes depositing a silicon oxide based film, preferably by reaction of an organosilicon compound and an oxidizing gas at a low RF power level from about 10 W to about 500 W, exposing the silicon oxide based film to water or a hy
[ What is claimed is:] [1.]1. A method for depositing a low dielectric constant film, comprising:depositing a silicon oxide based film comprising carbon-silicon bonds and a carbon content of between about 1% and about 50% by atomic weight on a substrate wherein the silicon oxide based film is locate
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