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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0212432 (1998-12-16) |
우선권정보 | JP0264386 (1996-10-04) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 47 인용 특허 : 15 |
A method is provided for producing, with high reproducibility, an SOI substrate which is flat and high in quality, and simultaneously for achieving resources saving and reduction in cost through recycling of a substrate member. For accomplishing this, a porous-forming step is performed forming a por
[ What is claimed is:] [1.]1. A semiconductor article havinga nonporous semiconductor substrate, first, second and third porous semiconductor layers formed on the nonporous semiconductor substrate, and a nonporous semiconductor layer formed on the first porous semiconductor layer, wherein the second
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