최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0323821 (1999-06-02) |
우선권정보 | FI0001262 (1998-06-03) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 87 인용 특허 : 6 |
The present invention concerns a method of growing a cerium-doped SrS phosphor layer by the Atomic Layer Epitaxy-method. According to the invention an organometallic cerium compound containing at least one cyclopentadienyl type ligand is used as a precursor for the dopant cerium. The cyclopentadieny
[ What is claimed is:] [1.]1. A method of growing a cerium-doped SrS phosphor layer by the Atomic Layer Epitaxy -method, comprising using an organometallic cerium compound containing at least one cyclopentadienyl type ligand as a precursor for the dopant cerium.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.