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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0074384 (1998-05-08) |
우선권정보 | JP0231189 (1997-08-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 170 인용 특허 : 12 |
The invention provides a number of semiconductor substrate manufacturing methods with which, in manufacturing a semiconductor substrate having a semiconductor layer in an insulated state on a supporting substrate, it is possible to obtain a thick semiconductor layer with a simple process and cheaply
[ What is claimed is:] [1.]1. A method for manufacturing a semiconductor substrate comprising a semiconductor layer suitable for device formation and a supporting substrate on which the semiconductor layer is supported and which is insulated from the semiconductor layer, said method comprising:impla
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