[특허]Method to improve the roughness of metal deposition on low-k material

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Method to improve the roughness of metal deposition on low-k material 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-021/31
출원번호	US-0373251 (1999-08-12)
발명자 / 주소	Chang Chung-I,TWX Chen Lai-Juh,TWX
출원인 / 주소	Industrial Technology Research Institute, TWX
대리인 / 주소	Saile
인용정보	피인용 횟수 : 6 인용 특허 : 4

초록 ▼

A new method is provided to treat the surface of a low-k material. The invention is specifically aimed at the improvement of the TaN barrier layer that is used in the deposition of a dual damascene structure. The invention uses e-beam exposure to improve the barrier metal (PVD TaN) properties for co

대표청구항 ▼

[ What is claimed is:] [1.]1. A method for providing a substrate with a coating of predetermined external surface texture, comprising:providing a semiconductor substrate;applying an electron-beam curable, low viscosity, solid coating to the surface of said substrate;curing said coating; andsubjecting said coating to electron-beam energy after a dwell time following said applying an electron-beam curable, low viscosity, solid coating to the surface of said substrate.

이 특허에 인용된 특허 (4)

Kreil Curtis L. (Woodbury MN) Sidney LuAnn (White Bear Township ; Ramsey County MN), Electron beam adhesion-promoting treatment of polyester film base.
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Nablo, Sam V., Electron beam irradiating process for rendering rough or topographically irregular surface substrates smooth; and coated substrates produced thereby.
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Sidney, LuAnn; Ebner, Stephen R., Electron-beam adhesion-promoting treatment of polyester film base for magnetic recording media.
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Chu Cheng-Jye ; Jang Qin ; Qiang Wei ; Du Yuhua, Low dielectric constant film and method thereof.
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이 특허를 인용한 특허 (6)

Yang, Chih-Chao; Edelstein, Daniel C.; Molis, Steven E., Enhanced diffusion barrier for interconnect structures.
상세보기
Yang, Chih-Chao; Edelstein, Daniel C.; Molis, Steven E., Enhanced diffusion barrier for interconnect structures.
상세보기
Rodbell, Kenneth P.; Andricacos, Panayotis C.; Cabral, Jr., Cyril; Gignac, Lynne M.; Uzoh, Cyprian E.; Locke, Peter S., Method for plating copper conductors and devices formed.
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Li, Lih-Ping; Lu, Hsin-Hsien; Jang, Syun-Ming, Method of forming a semiconductor device with a substantially uniform density low-k dielectric layer.
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Naoteru Matsubara JP; Hideki Mizuhara JP, Method of making a dual damascene structure with modified insulation.
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Demos, Alexandros T.; Xia, Li Qun; Huang, Tzu Fang; Zhu, Wen H., Multi step ebeam process for modifying dielectric materials.
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관련 콘텐츠

특허 원문 보기

KIPRIS 원문보기

IPC 상위 출원인

특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표IPC 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 공고번호, 공고일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표출원인, 출원인국적, 출원인주소, 발명자, 발명자E, 발명자코드, 발명자주소, 발명자 우편번호, 발명자국적, 대표IPC, IPC코드, 요약, 미국특허분류, 대리인주소, 대리인코드, 대리인(한글), 대리인(영문), 국제공개일자, 국제공개번호, 국제출원일자, 국제출원번호, 우선권, 우선권주장일, 우선권국가, 우선권출원번호, 원출원일자, 원출원번호, 지정국, Citing Patents, Cited Patents
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