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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0379834 (1999-08-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 80 인용 특허 : 14 |
A method of minimizing particle or residue accumulation within an exhaust line of a substrate processing chamber having a downstream plasma apparatus connected to the exhaust line. One embodiment of the method turns ON the downstream plasma apparatus during a substrate deposition step and a chamber
[ What is claimed is:] [1.]1. A method of operating a substrate processing chamber, said method comprising:flowing a deposition gas comprising an organosilane into said chamber during a film deposition step to deposit a layer over said substrate; andthereafter, flowing an etchant into said chamber d
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