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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0368373 (1999-08-04) |
우선권정보 | JP0241854 (1998-08-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 13 인용 특허 : 2 |
An object of the invention is to detect precisely a temperature in a temperature detection circuit for taking the temperature of a semiconductor substrate, wherein a first bipolar transistor Q1 and a second bipolar transistor Q2 that have different emitter areas and have the same polarities are fabr
[ What is claimed is:] [11.]11. A temperature detection circuit comprising:two diodes connected in parallel to each other, one of the two diodes being connected between an input and an output of an operational amplifier; andtemperature detection means comprising said operational amplifier for compar
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