최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0459167 (1999-12-10) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 22 인용 특허 : 33 |
A method of providing sub-half-micron copper interconnections with improved electromigration and corrosion resistance. The method includes double damascene using electroplated copper, where the seed layer is deposited by chemical vapor deposition, or by physical vapor deposition in a layer less than
[ Thus, having described the invention, what is claimed is:] [1.]1. A method for forming multilevel interconnections of copper lines isolated from one another by dielectric insulation for making contacts to electrical features in a substrate, the method comprising the steps of:(a) preparing a substr
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.