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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0296054 (1999-04-21) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 72 인용 특허 : 2 |
The present invention relates to the formation of a semiconductor device having selectively fabricated copper interconnect structure that is encapsulated within selectively formed metallic barriers. An exemplary encapsulated copper interconnect structure includes a first low dielectric constant laye
[ What is claimed is:] [1.]1. A semiconductor device having an encapsulated copper interconnect structure, said semiconductor device comprising:(a) a semiconductor substrate that requires electrical interconnect structure;(b) a first copper interconnect structure comprising an elevated copper interc
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