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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0096458 (1998-06-11) |
우선권정보 | JP0292561 (1997-10-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 92 인용 특허 : 3 |
A Group III metal element is heated so as to melt, a gas NH.sub.3 containing nitrogen atoms is injected into a melt 3 of the Group III metal element at a temperature lower than the melting point of a nitride to be obtained, thereby producing a nitride microcrystal of the Group III element having hig
[ What is claimed is:] [13.]13. A nitride crystal fabricating method comprising the steps of: immersing a seed crystal in a Group III element melt which is heated at a temperature lower than the melting point of a nitride to be obtained; introducing a gas containing nitrogen into the Group III eleme
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