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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0685750 (2000-10-10) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 113 인용 특허 : 6 |
Porous organo polysilica dielectric materials having low dielectric constants useful in electronic component manufacture are disclosed along with methods of preparing the porous organo polysilica dielectric materials. Also disclosed are methods of forming integrated circuits containing such porous o
[ What is claimed is:] [1.]1. A method of preparing porous organo polysilica dielectric materials comprising the steps of: a) dispersing removable cross-linked polymeric porogen particle in a B-staged organo polysilica dielectric material; b) curing the B-staged organo polysilica dielectric material
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