[특허]Method of fabricating a silicon solar cell

Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha, JPX

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Method of fabricating a silicon solar cell

특허상세정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-021/00
미국특허분류(USC)	438/098 ; 136/243 ; 136/244 ; 136/256 ; 257/041 ; 438/057 ; 438/063 ; 438/073 ; 438/083 ; 438/098 ; 438/100
출원번호	US-0475185 (1999-12-30)
발명자 / 주소	Verlinden Pierre J. Terao Akira Nakamura Haruo,JPX Komura Norio,JPX Sugimoto Yasuo,JPX Ohmura Junichi,JPX
출원인 / 주소	Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha, JPX
대리인 / 주소	Arent Fox Kintner Plotkin & Kahn PLLC
인용정보	피인용 횟수 : 94 인용 특허 : 2

초록
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A method of fabricating a back surface point contact silicon solar cell having p-doped regions and n-doped regions on the same side by forming a passivating layer on a surface of the cell having opened windows at the p-doped regions and the n-doped regions, by depositing and patterning a first metal layer on the passivating layer in such a way that the first metal layer comes into contact with the p-doped regions and the n-doped regions, by depositing a first insulator layer of inorganic material on the first metal layer, by etching and patterning the first insulator layer in such a way that the insulator layer has opened windows at, at least one of the p-doped regions and the n-doped regions, by depositing a second insulator layer of organic material on the first insulator layer, by etching and patterning the second insulator layer in such a way that the insulator layer has opened windows at the one of the p-doped regions and the n-doped regions, by curing the second insulator layer by heating at a predetermined temperature for a predetermined time, and depositing a second metal layer on the second insulator layer of organic material in such a way that the second metal layer comes into contact with the one of the p-doped regions and the n-doped regions. With this, the cell surface to be soldered onto a metallized substrate is well planarized and even to ensure sufficient conductibility, with less voids and less solder fatigue.

대표
청구항
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[ What is claimed is:] [1.]1. A method of fabricating a silicon solar cell having p-doped regions and n-doped regions on a same side, comprising the steps of:(a) forming a passivating layer on a surface of the cell having opened windows at the p-doped regions and the n-doped regions;(b) depositing and patterning a first metal layer on the passivating layer in such a way that the first metal layer comes into contact with the p-doped regions and the n-doped regions;(c) depositing a first insulator layer of inorganic material on the first metal layer;(d) etching and patterning the first insulator layer in such a way that the insulator layer has opened windows at, at least one of the p-doped regions and the n-doped regions;(e) depositing a second insulator layer of organic material on the first insulator layer;(f) etching and patterning the second insulator layer in such a way that the insulator layer has opened windows at the one of the p-doped regions and the n-doped regions;(g) curing the second insulator layer by heating at a predetermined temperature for a predetermined time; and(h) depositing a second metal layer on the second insulator layer of organic material in such a way that the second metal layer comes into contact with the one of the p-doped regions and the n-doped regions.

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